IXTK21N100【PDF 2/4 页】MOSFET N-CH 1000V 21A TO-264

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IXTK 21N100

IXTN 21N100

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)

TO-264 AA Outline

min. typ. max.

g fs

C iss

C oss

C rss

t d(on)

t r

V DS = 10 V; I D = 0.5 ? I D25 , pulse test

V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz

V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25

24

8400

630

110

30

50

S

pF

pF

pF

ns

ns

t d(off)

t f

R G = 1 ? (External),

100

40

ns

ns

Dim.

Millimeter

Min. Max.

Inches

Min.

Max.

A

4.82

5.13

.190 .202

Q g(on)

250

nC

A1

A2

2.54

2.00

2.89

2.10

.100 .114

.079 .083

Q gs

Q gd

V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25

60

100

nC

nC

b

b1

b2

c

1.12

2.39

2.90

0.53

1.42

2.69

3.09

0.83

.044 .056

.094 .106

.114 .122

.021 .033

R thJC

R thCK

TO-264 AA

TO-264 AA

0.15

0.25

K/W

K/W

D

E

e

J

25.91

19.81

5.46

0.00

26.16

19.96

BSC

0.25

1.020 1.030

.780 .786

.215 BSC

.000 .010

K

0.00

0.25

.000 .010

R thJC

R thCK

miniBLOC, SOT-227 B

miniBLOC, SOT-227 B

0.05

0.24

K/W

K/W

L

L1

P

Q

20.32

2.29

3.17

6.07

20.83

2.59

3.66

6.27

.800 .820

.090 .102

.125 .144

.239 .247

Q1

R

R1

8.38

3.81

1.78

8.69

4.32

2.29

.330 .342

.150 .170

.070 .090

Source-Drain Diode

Characteristic Values

(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)

S

T

6.04

1.57

6.30

1.83

.238 .248

.062 .072

Symbol

I S

I SM

V SD

t rr

I RM

Test Conditions

V GS = 0 V

Repetitive; pulse width limited by T JM

I F = I S , V GS = 0 V,

Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %

I F = I S , -di/dt = 100 A/ μ s, V R = 100 V

min. typ. max.

21

84

1.5

1000

20

A

A

V

ns

A

miniBLOC, SOT-227 B

M4 screws (4x) supplied

Dim.

Millimeter

Min. Max.

Inches

Min. Max.

A

B

C

D

E

F

G

H

J

K

L

M

N

O

P

Q

R

S

T

U

31.50

7.80

4.09

4.09

4.09

14.91

30.12

38.00

11.68

8.92

0.76

12.60

25.15

1.98

4.95

26.54

3.94

4.72

24.59

-0.05

31.88

8.20

4.29

4.29

4.29

15.11

30.30

38.23

12.22

9.60

0.84

12.85

25.42

2.13

5.97

26.90

4.42

4.85

25.07

0.1

1.240

0.307

0.161

0.161

0.161

0.587

1.186

1.496

0.460

0.351

0.030

0.496

0.990

0.078

0.195

1.045

0.155

0.186

0.968

-0.002

1.255

0.323

0.169

0.169

0.169

0.595

1.193

1.505

0.481

0.378

0.033

0.506

1.001

0.084

0.235

1.059

0.174

0.191

0.987

0.004

? 2000 IXYS All rights reserved

IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:

4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715

4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025

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IXTK22N100L 功能描述:MOSFET N-CHAN 1000V 22A RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IXTK250N10 功能描述:MOSFET 250 Amps 100V 0.005 Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IXTK32P60P 功能描述:MOSFET -32 Amps -600V 0.350 Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IXTK33N45 制造商:未知厂家制造商全称:未知厂家功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-264AA

IXTK33N50 功能描述:MOSFET 33 Amps 500V 0.17 Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IXTK40P50P 功能描述:MOSFET -40.0 Amps -500V 0.230 Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IXTK46N50L 功能描述:MOSFET 44 Amps 500V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IXTK550N055T2 功能描述:功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube